欧博亚洲官方注册:长江存储乐成研发128层闪存 国产存储器迈紧张一步

新2备用网址/2020-06-25/ 分类:科技/阅读:

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  中新网北京4月13日电 (记者 李晓喻)长江存储科技有限责任公司13日公布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发乐成,并已在多家节制器厂商SSD等终端存储产物上通过验证。

  长江存储是中国焦点半导体制造企业紫光整体旗下公司,首要营业为3DNAND闪存计划制造。2016年底落地武汉,总投资240亿美元。

  作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产物中最高单元面积贮储密度,最高I/O传输速率和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC,是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技能形态,具有大容量、高密度等特点,得当于读取麋集型应用。

  据先容,每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维仓库,共有高出3665亿个有用的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单位,

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,每个存储单位可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。  

  长江存储市场与贩卖高级副总裁龚翊暗示,“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时刻实现了从32层到64层再到128层的超过。”

  闪存和SSD(固态硬盘)规模市场研究公司ForwardInsights首创人兼首席说明师GregoryWong以为:“QLC低落了NAND闪存单元字节(Byte)的本钱,更适相助为大容量存储介质。好比可以作为处事器和数据中间的存储介质,得当AI计较、呆板进修和大数据读取麋集型应用。”(完)

(编辑:裴春梅)

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